合约价格持续下降,全球 DRAM 总产值第二季衰退 4.8%

TrendForce 旗下记忆体储存事业处 DRAMeXchange 表示,DRAM 市场第二季受到合约均价大幅衰退约 10% 的影响,虽然位元产出量持续增长,总产值仍呈现 4.8% 的季衰退,来到 114 亿美金。在淡季影响下,各 DRAM 厂营收都呈现衰退走势,然而由于製程持续转进,毛利并未大幅缩减,三星、SK 海力士与美光的 DRAM 产品别营业获利比率分别为 48%、37% 与 21%,因此 DRAM 产业真正的考验将会落在未来几季。在需求端如笔电与智慧型手机领域持续疲弱,但供给端来自 20nm / 21nm 的比例将持续提升,DRAMeXchange 预期未来 DRAM 价格的跌幅恐怕持续。

DRAMeXchange 研究协理吴雅婷表示,三星与 SK 海力士在全球第二季 DRAM 厂自有品牌记忆体市佔比率各为 45.1% 以及 27.7%,稳定盘据全球超过七成的供给比率。美光半导体约为 20.6%,主要衰退除了来自于跌价损失外,位元供给未现增长也是原因之一。

从技术面观察,三星的最新製程 20nm 表现令人惊豔,不仅导入顺利、良率稳定,时程更是大幅领先其竞争对手约半年到一年,持续展现其领导厂商的製程优势。目前三星的 20nm 较大幅度集中在标準型记忆体以及伺服器记忆体,但很快就会普及到所有的产品类别,在现今跌价的市场中持续带来成本优化的优势。SK 海力士最新製程 21nm 尚处于最初期的试产阶段,已经递延到第三季底才送交验证的样品,真正大量生产的时序会跟美光的 20nm 相当接近,落在明年的第一季。而美光集团方面,製程微缩与上季相较未显突破,仍维持在 30nm,使得成本压力相较于两家韩商高出许多。

至于在台系厂商部分,南亚科目前在 30nm 微缩製程转进速度顺利,预计产出年末将来到 60%,营收方面小幅下滑 5.1%,20nm 製程预计明年下半年新工厂完工后导入量产行列。华亚科由于产品组合多以近期下跌幅度最剧烈的标準型记忆体与伺服器用记忆体为主,加上 30nm 製程落后于韩系厂商,毛利率从上季的 47.2% 大幅下修至第二季的 34.9%。力晶由于标準型记忆体生产多属代工性质,营收较第一季维持一样衰退,25nm 製程方面现已进入试产阶段,如顺利最快明年初可以导入量产。华邦虽无标準型记忆体产品产出,但大容量利基型记忆体市场也陷入杀价竞争的困境,营收衰退 8.5% 左右,获利也小幅下滑至 11.2%。

合约价格持续下降,全球 DRAM 总产值第二季衰退 4.8%